Προδιαγραφές

• σειρά
  SIPMOS®
• πακέτο
  Bulk
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Obsolete
• τύπος ποδιού
  P-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  60 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  1.9A (Ta)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  10V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  300mOhm @ 1.9A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  14 nC @ 10 V
• vgs (μέγ.)
  ±20V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  410 pF @ 25 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  1.8W (Ta)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  PG-SOT223-4
• συσκευασία / θήκη
  TO-261-4, TO-261AA