RGT20TM65DGC9

RGT20TM65DGC9

Κατασκευαστής

ROHM Semiconductor

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - igbts - μονό

Περιγραφή

650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT

Προδιαγραφές

  • σειρά
    -
  • πακέτο
    Tube
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπου igbt
    Trench Field Stop
  • τάση - βλάβη εκπομπού συλλέκτη (μέγ.)
    650 V
  • ρεύμα - συλλέκτης (ic) (μέγ.)
    10 A
  • ρεύμα - παλμικός συλλέκτης (ICM)
    30 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 10A
  • ισχύς - μέγ
    25 W
  • εναλλαγή ενέργειας
    -
  • τύπος εισόδου
    Standard
  • χρέωση πύλης
    22 nC
  • td (on/off) @ 25°c
    12ns/32ns
  • συνθήκη δοκιμής
    400V, 10A, 10Ohm, 15V
  • αντίστροφος χρόνος ανάκτησης (trr)
    42 ns
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Through Hole
  • συσκευασία / θήκη
    TO-220-3 Full Pack
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    TO-220NFM

RGT20TM65DGC9 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 13796
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
2.32000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:2.32000