Προδιαγραφές

• σειρά
  -
• πακέτο
  Tray
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  2 N-Channel (Half Bridge)
• χαρακτηριστικό ποδιών
  Silicon Carbide (SiC)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  300A (Tc)
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 68mA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  -
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  35000pF @ 10V
• ισχύς - μέγ
  1875W
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Chassis Mount
• συσκευασία / θήκη
  Module
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  Module