Προδιαγραφές

• σειρά
  HEXFET®
• πακέτο
  Bulk
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  150 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  41A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  10V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  45mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5.5V @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  110 nC @ 10 V
• vgs (μέγ.)
  ±30V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  2.52 pF @ 25 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  200W (Tc)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Through Hole
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  TO-220AB
• συσκευασία / θήκη
  TO-220-3