Προδιαγραφές

• σειρά
  StrongIRFET™
• πακέτο
  Bulk
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  40 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  135A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  6V, 10V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  2.3mOhm @ 81A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3.9V @ 100µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  81 nC @ 10 V
• vgs (μέγ.)
  ±20V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  3.913 pF @ 25 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  74W (Tc)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  DirectFET™ Isometric MF
• συσκευασία / θήκη
  DirectFET™ Isometric MF