Προδιαγραφές

• σειρά
  HEXFET®
• πακέτο
  Bulk
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  N and P-Channel
• χαρακτηριστικό ποδιών
  Logic Level Gate
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  20V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  5.2A, 4.3A
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  660pF @ 15V
• ισχύς - μέγ
  2W
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• συσκευασία / θήκη
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  8-SO