IGP01N120H2

IGP01N120H2

Κατασκευαστής

Rochester Electronics

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - igbts - μονό

Περιγραφή

POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN

Προδιαγραφές

  • σειρά
    -
  • πακέτο
    Bulk
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπου igbt
    -
  • τάση - βλάβη εκπομπού συλλέκτη (μέγ.)
    1200 V
  • ρεύμα - συλλέκτης (ic) (μέγ.)
    3.2 A
  • ρεύμα - παλμικός συλλέκτης (ICM)
    3.5 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.8V @ 15V, 1A
  • ισχύς - μέγ
    28 W
  • εναλλαγή ενέργειας
    140µJ
  • τύπος εισόδου
    Standard
  • χρέωση πύλης
    8.6 nC
  • td (on/off) @ 25°c
    13ns/370ns
  • συνθήκη δοκιμής
    800V, 1A, 241Ohm, 15V
  • αντίστροφος χρόνος ανάκτησης (trr)
    -
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Through Hole
  • συσκευασία / θήκη
    TO-220-3
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    PG-TO220-3

IGP01N120H2 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 37252
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
0.55000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:0.55000