Προδιαγραφές

• σειρά
  NexFET™
• πακέτο
  Bulk
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  25 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  -
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (μέγ.)
  +16V, -12V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  3.1W (Ta)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  8-VSON-CLIP (5x6)
• συσκευασία / θήκη
  8-PowerTDFN