AUIRFR120Z

AUIRFR120Z

Κατασκευαστής

Rochester Electronics

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - φετ, μοσφετ - μονό

Περιγραφή

MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

Προδιαγραφές

  • σειρά
    HEXFET®
  • πακέτο
    Tube
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Obsolete
  • τύπος ποδιού
    N-Channel
  • τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
    100 V
  • ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
    8.7A (Tc)
  • τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
    10V
  • rds σε (μέγ.) @ id, vgs
    190mOhm @ 5.2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 25µA
  • χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
    10 nC @ 10 V
  • vgs (μέγ.)
    ±20V
  • χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
    310 pF @ 25 V
  • χαρακτηριστικό ποδιών
    -
  • απαγωγή ισχύος (μέγ.)
    35W (Tc)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Surface Mount
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    D-Pak
  • συσκευασία / θήκη
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AUIRFR120Z Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 21719
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
0.48000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:0.48000

Φύλλο δεδομένων