MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR

MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR

Κατασκευαστής

Micron Technology

κατηγορία προιόντος

μνήμη

Περιγραφή

IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA

RFQ Email: [email protected] or Ερωτάται διαδικτυακά

Προδιαγραφές

  • σειρά
    Automotive, AEC-Q100
  • πακέτο
    Tape & Reel (TR)
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος μνήμης
    Volatile
  • μορφή μνήμης
    DRAM
  • τεχνολογία
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • μέγεθος μνήμης
    8Gb (256M x 32)
  • διεπαφή μνήμης
    -
  • συχνότητα ρολογιού
    1.866 GHz
  • εγγραφή χρόνου κύκλου - λέξη, σελίδα
    -
  • χρόνος πρόσβασης
    -
  • τάσης - παροχής
    1.1V
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • τύπος τοποθέτησης
    Surface Mount
  • συσκευασία / θήκη
    200-WFBGA
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    200-WFBGA (10x14.5)

MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 4461
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
13.96500
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:13.96500