Προδιαγραφές

• σειρά
  BIMOSFET™
• πακέτο
  Tube
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Not For New Designs
• τύπου igbt
  -
• τάση - βλάβη εκπομπού συλλέκτη (μέγ.)
  3600 V
• ρεύμα - συλλέκτης (ic) (μέγ.)
  70 A
• ρεύμα - παλμικός συλλέκτης (ICM)
  220 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• ισχύς - μέγ
  430 W
• εναλλαγή ενέργειας
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• τύπος εισόδου
  Standard
• χρέωση πύλης
  110 nC
• td (on/off) @ 25°c
  18ns/238ns
• συνθήκη δοκιμής
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• αντίστροφος χρόνος ανάκτησης (trr)
  1.7 µs
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• συσκευασία / θήκη
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  TO-268