Προδιαγραφές

• σειρά
  BIMOSFET™
• πακέτο
  Tube
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπου igbt
  -
• τάση - βλάβη εκπομπού συλλέκτη (μέγ.)
  3000 V
• ρεύμα - συλλέκτης (ic) (μέγ.)
  34 A
• ρεύμα - παλμικός συλλέκτης (ICM)
  88 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  2.8V @ 15V, 10A
• ισχύς - μέγ
  180 W
• εναλλαγή ενέργειας
  -
• τύπος εισόδου
  Standard
• χρέωση πύλης
  46 nC
• td (on/off) @ 25°c
  36ns/100ns
• συνθήκη δοκιμής
  960V, 10A, 10Ohm, 15V
• αντίστροφος χρόνος ανάκτησης (trr)
  1.6 µs
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• συσκευασία / θήκη
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  TO-263