Προδιαγραφές

• σειρά
  HEXFET®
• πακέτο
  Tube
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Obsolete
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  30 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  76A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  4.5V, 10V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  6mOhm @ 40A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  1V @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  140 nC @ 4.5 V
• vgs (μέγ.)
  ±16V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  5000 pF @ 25 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  63W (Tc)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Through Hole
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  TO-220AB Full-Pak
• συσκευασία / θήκη
  TO-220-3 Full Pack