Προδιαγραφές

• σειρά
  HEXFET®, StrongIRFET™
• πακέτο
  Tube
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  60 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  110A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  6V, 10V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  5.1mOhm @ 65A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3.7V @ 100µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  130 nC @ 10 V
• vgs (μέγ.)
  ±20V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  4555 pF @ 25 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  160W (Tc)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Through Hole
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  TO-220
• συσκευασία / θήκη
  TO-220-3