Προδιαγραφές

• σειρά
  -
• πακέτο
  Tube
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• οδηγούμενη διαμόρφωση
  Half-Bridge
• τύπο καναλιού
  Independent
• αριθμός οδηγών
  2
• τύπος πύλης
  IGBT, N-Channel MOSFET
• τάσης - παροχής
  10V ~ 20V
• λογική τάση - vil, vih
  0.8V, 3V
• ρεύμα - μέγιστη απόδοση (πηγή, νεροχύτης)
  210mA, 360mA
• τύπος εισόδου
  Inverting
• υψηλή πλευρική τάση - max (bootstrap)
  600 V
• χρόνος ανόδου / πτώσης (τύπος)
  100ns, 50ns
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• συσκευασία / θήκη
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  8-SOIC