IPT60R050G7XTMA1

IPT60R050G7XTMA1

Κατασκευαστής

IR (Infineon Technologies)

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - φετ, μοσφετ - μονό

Περιγραφή

MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF

Προδιαγραφές

  • σειρά
    CoolMOS™ G7
  • πακέτο
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος ποδιού
    N-Channel
  • τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
    650 V
  • ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
    44A (Tc)
  • τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
    10V
  • rds σε (μέγ.) @ id, vgs
    50mOhm @ 15.9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 800µA
  • χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
    68 nC @ 10 V
  • vgs (μέγ.)
    ±20V
  • χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
    2670 pF @ 400 V
  • χαρακτηριστικό ποδιών
    -
  • απαγωγή ισχύος (μέγ.)
    245W (Tc)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Surface Mount
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    PG-HSOF-8-2
  • συσκευασία / θήκη
    8-PowerSFN

IPT60R050G7XTMA1 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 5576
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
10.62000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:10.62000

Φύλλο δεδομένων