IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Κατασκευαστής

IR (Infineon Technologies)

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - φετ, μοσφετ - μονό

Περιγραφή

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Προδιαγραφές

  • σειρά
    OptiMOS™
  • πακέτο
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος ποδιού
    N-Channel
  • τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
    80 V
  • ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
    120A (Tc)
  • τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
    6V, 10V
  • rds σε (μέγ.) @ id, vgs
    2mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.8V @ 208µA
  • χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
    166 nC @ 10 V
  • vgs (μέγ.)
    ±20V
  • χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
    12100 pF @ 40 V
  • χαρακτηριστικό ποδιών
    -
  • απαγωγή ισχύος (μέγ.)
    300W (Tc)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Surface Mount
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    D²PAK (TO-263AB)
  • συσκευασία / θήκη
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB020N08N5ATMA1 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 7353
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
4.66000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:4.66000

Φύλλο δεδομένων