Προδιαγραφές

• σειρά
  eGaN®
• πακέτο
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• χαρακτηριστικό ποδιών
  GaNFET (Gallium Nitride)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  100V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  1.7A, 500mA
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• ισχύς - μέγ
  -
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• συσκευασία / θήκη
  9-VFBGA
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  9-BGA (1.35x1.35)