Προδιαγραφές

• σειρά
  eGaN®
• πακέτο
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  2 N-Channel (Half Bridge)
• χαρακτηριστικό ποδιών
  GaNFET (Gallium Nitride)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  30V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  10A (Ta), 40A (Ta)
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
• ισχύς - μέγ
  -
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• συσκευασία / θήκη
  Die
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  Die