ALD212900SAL

ALD212900SAL

Κατασκευαστής

Advanced Linear Devices, Inc.

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - φετ, μοσφετ - συστοιχίες

Περιγραφή

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

RFQ Email: [email protected] or Ερωτάται διαδικτυακά

Προδιαγραφές

  • σειρά
    EPAD®, Zero Threshold™
  • πακέτο
    Tube
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος ποδιού
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • χαρακτηριστικό ποδιών
    Logic Level Gate
  • τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
    10.6V
  • ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
    80mA
  • rds σε (μέγ.) @ id, vgs
    14Ohm
  • vgs(th) (max) @ id
    20mV @ 20µA
  • χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
    -
  • χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
    30pF @ 5V
  • ισχύς - μέγ
    500mW
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Surface Mount
  • συσκευασία / θήκη
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    8-SOIC

ALD212900SAL Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 10950
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
5.02420
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:5.02420

Φύλλο δεδομένων

Κατεβάστε