Προδιαγραφές

• σειρά
  Z-FET™
• πακέτο
  Bulk
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  2 N-Channel (Half Bridge)
• χαρακτηριστικό ποδιών
  Silicon Carbide (SiC)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  423A (Tc)
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  1025nC @ 20V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  11700pF @ 600V
• ισχύς - μέγ
  1660W
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Chassis Mount
• συσκευασία / θήκη
  Module, Screw Terminals
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  Module