Προδιαγραφές

• σειρά
  C2M™
• πακέτο
  Tube
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Not For New Designs
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  SiCFET (Silicon Carbide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  1700 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  20V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 18mA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (μέγ.)
  +25V, -10V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  520W (Tc)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Through Hole
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  TO-247-4
• συσκευασία / θήκη
  TO-247-4