SQP120N10-09_GE3

SQP120N10-09_GE3

Κατασκευαστής

Vishay / Siliconix

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - φετ, μοσφετ - μονό

Περιγραφή

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Προδιαγραφές

  • σειρά
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • πακέτο
    Tube
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος ποδιού
    N-Channel
  • τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
    100 V
  • ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
    120A (Tc)
  • τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
    10V
  • rds σε (μέγ.) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 250µA
  • χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
    180 nC @ 10 V
  • vgs (μέγ.)
    ±20V
  • χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
    8645 pF @ 25 V
  • χαρακτηριστικό ποδιών
    -
  • απαγωγή ισχύος (μέγ.)
    375W (Tc)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Through Hole
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    TO-220AB
  • συσκευασία / θήκη
    TO-220-3

SQP120N10-09_GE3 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 10515
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
3.12000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:3.12000

Φύλλο δεδομένων