SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

Κατασκευαστής

Vishay / Siliconix

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - φετ, μοσφετ - μονό

Περιγραφή

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Προδιαγραφές

  • σειρά
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • πακέτο
    Tape & Reel (TR)
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος ποδιού
    N-Channel
  • τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
    30 V
  • ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
    30A (Tc)
  • τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
    4.5V, 10V
  • rds σε (μέγ.) @ id, vgs
    9.3mOhm @ 10.3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.2V @ 250µA
  • χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
    38 nC @ 10 V
  • vgs (μέγ.)
    ±20V
  • χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
    1900 pF @ 15 V
  • χαρακτηριστικό ποδιών
    -
  • απαγωγή ισχύος (μέγ.)
    46W (Tc)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Surface Mount
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    PowerPAK® SO-8
  • συσκευασία / θήκη
    PowerPAK® SO-8

SQJ840EP-T1_GE3 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 28601
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
0.72380
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:0.72380

Φύλλο δεδομένων