SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

Κατασκευαστής

Vishay / Siliconix

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - φετ, μοσφετ - συστοιχίες

Περιγραφή

MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

Προδιαγραφές

  • σειρά
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • πακέτο
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος ποδιού
    N and P-Channel
  • χαρακτηριστικό ποδιών
    -
  • τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
    40V
  • ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
    30A (Tc)
  • rds σε (μέγ.) @ id, vgs
    27mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.3V @ 250µA
  • χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
    38.1nC @ 10V
  • χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
    1850pF @ 20V
  • ισχύς - μέγ
    48W
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Surface Mount
  • συσκευασία / θήκη
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    PowerPAK® SO-8 Dual

SQJ500AEP-T1_GE3 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 15284
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
1.39000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:1.39000

Φύλλο δεδομένων