SISS94DN-T1-GE3

SISS94DN-T1-GE3

Κατασκευαστής

Vishay / Siliconix

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - φετ, μοσφετ - μονό

Περιγραφή

MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK

Προδιαγραφές

  • σειρά
    TrenchFET®
  • πακέτο
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος ποδιού
    N-Channel
  • τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
    200 V
  • ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
    5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
  • τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
    7.5V, 10V
  • rds σε (μέγ.) @ id, vgs
    75mOhm @ 5.4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
    21 nC @ 10 V
  • vgs (μέγ.)
    ±20V
  • χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
    350 pF @ 100 V
  • χαρακτηριστικό ποδιών
    -
  • απαγωγή ισχύος (μέγ.)
    5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Surface Mount
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    PowerPAK® 1212-8S
  • συσκευασία / θήκη
    PowerPAK® 1212-8S

SISS94DN-T1-GE3 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 21655
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
0.96000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:0.96000