SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Κατασκευαστής

Vishay / Siliconix

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - φετ, μοσφετ - συστοιχίες

Περιγραφή

MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Προδιαγραφές

  • σειρά
    TrenchFET®
  • πακέτο
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος ποδιού
    N and P-Channel
  • χαρακτηριστικό ποδιών
    Logic Level Gate
  • τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
    30V
  • ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
    2.5A
  • rds σε (μέγ.) @ id, vgs
    105mOhm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA (Min)
  • χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
    3.2nC @ 5V
  • χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
    -
  • ισχύς - μέγ
    1.15W
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Surface Mount
  • συσκευασία / θήκη
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    6-TSOP

SI3552DV-T1-GE3 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 23790
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
0.87000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:0.87000

Φύλλο δεδομένων