VS-C10ET07T-M3

VS-C10ET07T-M3

Κατασκευαστής

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

κατηγορία προιόντος

δίοδοι - rf

Περιγραφή

SILICON CARBIDE DIODE - TO-220

RFQ Email: [email protected] or Ερωτάται διαδικτυακά

Προδιαγραφές

  • σειρά
    -
  • πακέτο
    Tube
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος διόδου
    Schottky - Single
  • τάση - αντίστροφη κορυφή (μέγ.)
    650V
  • ρεύμα - μέγ
    10 A
  • χωρητικότητα @ vr, f
    430pF @ 1V, 1MHz
  • αντίσταση @ αν, f
    -
  • απαγωγή ισχύος (μέγ.)
    60 W
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • συσκευασία / θήκη
    TO-220-2
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    TO-220AC

VS-C10ET07T-M3 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 8150
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
4.10000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:4.10000