TRS10E65F,S1Q

TRS10E65F,S1Q

Κατασκευαστής

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

κατηγορία προιόντος

διόδους - ανορθωτές - μονές

Περιγραφή

DODE SCHOTTKY 650V TO220

Προδιαγραφές

  • σειρά
    -
  • πακέτο
    Tube
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος διόδου
    Silicon Carbide Schottky
  • τάση - dc reverse (vr) (max)
    650 V
  • τρέχον - μέσος όρος διορθώθηκε (io)
    10A (DC)
  • τάση - προς τα εμπρός (vf) (max) @ αν
    1.6 V @ 10 A
  • Ταχύτητα
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • αντίστροφος χρόνος ανάκτησης (trr)
    0 ns
  • ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ vr
    50 µA @ 650 V
  • χωρητικότητα @ vr, f
    36pF @ 650V, 1MHz
  • τύπος τοποθέτησης
    Through Hole
  • συσκευασία / θήκη
    TO-220-2
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    TO-220-2L
  • θερμοκρασία λειτουργίας - διασταύρωση
    175°C (Max)

TRS10E65F,S1Q Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 6974
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
4.90000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:4.90000