STD6N65M2

STD6N65M2

Κατασκευαστής

STMicroelectronics

κατηγορία προιόντος

τρανζίστορ - φετ, μοσφετ - μονό

Περιγραφή

MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Προδιαγραφές

  • σειρά
    MDmesh™
  • πακέτο
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • κατάσταση ανταλλακτικού
    Active
  • τύπος ποδιού
    N-Channel
  • τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
    650 V
  • ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
    4A (Tc)
  • τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
    10V
  • rds σε (μέγ.) @ id, vgs
    1.35Ohm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
    9.8 nC @ 10 V
  • vgs (μέγ.)
    ±25V
  • χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
    226 pF @ 100 V
  • χαρακτηριστικό ποδιών
    -
  • απαγωγή ισχύος (μέγ.)
    60W (Tc)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τύπος τοποθέτησης
    Surface Mount
  • πακέτο συσκευών προμηθευτή
    DPAK
  • συσκευασία / θήκη
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD6N65M2 Ζητήστε προσφορά

Σε απόθεμα 18104
Ποσότητα:
Τιμή μονάδας (Τιμή Αναφοράς):
1.16000
Ενδεικτική τιμή:
Σύνολο:1.16000

Φύλλο δεδομένων