Προδιαγραφές

• σειρά
  HEXFET®
• πακέτο
  Bulk
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  55 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  51A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  -
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  13.5mOhm @ 31A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3V @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  36 nC @ 5 V
• vgs (μέγ.)
  ±16V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  1620 pF @ 25 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  80W (Tc)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  PG-TO263-3-2
• συσκευασία / θήκη
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB