Προδιαγραφές

• σειρά
  HEXFET®
• πακέτο
  Bulk
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  200 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  43A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  -
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  54mOhm @ 26A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5V @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  91 nC @ 10 V
• vgs (μέγ.)
  -
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  2.9 pF @ 25 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  -
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -
• τύπος τοποθέτησης
  Through Hole
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  TO-262
• συσκευασία / θήκη
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA