Προδιαγραφές

• σειρά
  HEXFET®
• πακέτο
  Bulk
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  25 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  28A (Ta), 125A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  4.5V, 10V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 50µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  25 nC @ 4.5 V
• vgs (μέγ.)
  ±16V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  2.51 pF @ 13 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  2.1W (Ta), 42W (Tc)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  DIRECTFET™ S3C
• συσκευασία / θήκη
  DirectFET™ Isometric S3C