Προδιαγραφές

• σειρά
  PowerTrench®
• πακέτο
  Bulk
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Obsolete
• τύπος ποδιού
  P-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  30 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  5.3A (Ta)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  4.5V, 10V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  59mOhm @ 5.3A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3V @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  8 nC @ 5 V
• vgs (μέγ.)
  ±25V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  535 pF @ 15 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  Schottky Diode (Isolated)
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  900mW (Ta)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Surface Mount
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  8-SOIC
• συσκευασία / θήκη
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)