Προδιαγραφές

• σειρά
  -
• πακέτο
  Bag
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  100 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  20A
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  5V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (μέγ.)
  ±15V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  Logic Level Gate, 4V Drive
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  105W (Tc)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  175°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Through Hole
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  TO-220
• συσκευασία / θήκη
  TO-220-3