Προδιαγραφές

• σειρά
  HEXFET®
• πακέτο
  Tube
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Active
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  100 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  55A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  4V, 10V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  26mOhm @ 29A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2V @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  140 nC @ 5 V
• vgs (μέγ.)
  ±16V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  3700 pF @ 25 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  200W (Tc)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Through Hole
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  TO-220AB
• συσκευασία / θήκη
  TO-220-3