Προδιαγραφές

• σειρά
  HEXFET®
• πακέτο
  Tube
• κατάσταση ανταλλακτικού
  Obsolete
• τύπος ποδιού
  N-Channel
• τεχνολογία
  MOSFET (Metal Oxide)
• τάση αποστράγγισης στην πηγή (vdss)
  20 V
• ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°c
  60A (Tc)
• τάση μετάδοσης κίνησης (μέγιστη ενεργοποίηση, ελάχιστη ενεργοποίηση)
  4.5V, 10V
• rds σε (μέγ.) @ id, vgs
  8.4mOhm @ 15A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.55V @ 250µA
• χρέωση πύλης (qg) (μέγ.) @ vgs
  14 nC @ 4.5 V
• vgs (μέγ.)
  ±20V
• χωρητικότητα εισόδου (ciss) (max) @ vds
  1190 pF @ 10 V
• χαρακτηριστικό ποδιών
  -
• απαγωγή ισχύος (μέγ.)
  48W (Tc)
• Θερμοκρασία λειτουργίας
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• τύπος τοποθέτησης
  Through Hole
• πακέτο συσκευών προμηθευτή
  IPAK (TO-251)
• συσκευασία / θήκη
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA